位于济南的晶正电子科技有限公司经过多年的研发,在全球范围内率先成功开发出了大尺寸纳米厚度铌酸锂单晶薄膜,该薄膜具有更好的电光调制器性能更好、耗电和更少、集成度,可应用于800G以上光模块。这种薄膜能够大幅提高光纤通讯速度,并减少能耗。铌酸锂单晶薄膜材料的成功研发和规模化生产,填补了行业空白,使我国在此高精尖领域技术水平处于世界领先地位,解决了国外5G芯片材料“卡脖子”问题。
位于济南的晶正电子科技有限公司经过多年的研发,在全球范围内率先成功开发出了大尺寸纳米厚度铌酸锂单晶薄膜,该薄膜具有更好的电光调制器性能更好、耗电和更少、集成度,可应用于800G以上光模块。这种薄膜能够大幅提高光纤通讯速度,并减少能耗。铌酸锂单晶薄膜材料的成功研发和规模化生产,填补了行业空白,使我国在此高精尖领域技术水平处于世界领先地位,解决了国外5G芯片材料“卡脖子”问题。